La RAM (memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria que necesita energía constante para retener los datos en ella. Una vez que se interrumpe la fuente de alimentación, se perderán los datos, por eso se conoce como memoria volátil . La lectura y escritura en la memoria RAM es fácil y rápida y se logra a través de señales eléctricas.
Gráfica comparativa
| Bases para la comparación | SRAM | DRACMA |
|---|---|---|
| Velocidad | Más rápido | Más lento |
| tamaño | Pequeña | Grande |
| Costo | Costoso | Barato |
| Utilizado en | Memoria caché | Memoria principal |
| Densidad | Menos denso | Muy denso |
| Construcción | Complejo y utiliza transistores y cierres. | Simple y utiliza condensadores y muy pocos transistores. |
| Solo bloque de memoria requiere | 6 transistores | Sólo un transistor. |
| Propiedad de fuga de carga | No presente | Presente por lo tanto requieren circuitos de actualización de energía |
| El consumo de energía | Bajo | Alto |
Definición de SRAM
La SRAM (memoria de acceso aleatorio estática) está formada por tecnología CMOS y utiliza seis transistores. Su construcción se compone de dos inversores de acoplamiento cruzado para almacenar datos (binarios) similares a flip-flops y dos transistores adicionales para el control de acceso. Es relativamente más rápido que otros tipos de RAM, como DRAM. Se consume menos energía. SRAM puede almacenar los datos siempre que se le suministre energía.
Trabajo de SRAM para una celda individual:
Para generar un estado lógico estable, cuatro transistores (T1, T2, T3, T4) están organizados de forma cruzada. Para generar el estado lógico 1, el nodo C1 es alto y C2 es bajo; en este estado, T1 y T4 están desactivados, y T2 y T3 están activados. Para el estado lógico 0, la unión C1 es baja y C2 es alta; en el estado dado, T1 y T4 están activados, y T2 y T3 están desactivados. Ambos estados son estables hasta que se aplica el voltaje de corriente continua (CC).
Definición de DRAM
DRAM (memoria de acceso aleatorio dinámico) también es un tipo de RAM que se construye utilizando condensadores y pocos transistores. El capacitor se usa para almacenar los datos donde el valor de bit 1 significa que el capacitor está cargado y un valor de bit 0 significa que el capacitor está descargado. El condensador tiende a descargarse, lo que provoca fugas de carga.
El término dinámico indica que las cargas se están filtrando continuamente incluso en presencia de una fuente de alimentación continua, por lo que consume más energía. Para conservar los datos durante un tiempo prolongado, es necesario actualizarlos repetidamente, lo que requiere circuitos de actualización adicionales. Debido a la pérdida de carga, la DRAM pierde datos incluso si la alimentación está encendida. La DRAM está disponible en la mayor cantidad de capacidad y es menos costosa. Requiere un solo transistor para el bloque de memoria.
Trabajo de la típica célula DRAM:
En el momento de leer y escribir el valor de bit de la celda, se activa la línea de dirección. El transistor presente en el circuito se comporta como un interruptor que está cerrado (permitiendo que la corriente fluya) si se aplica un voltaje a la línea de dirección y se abre (no fluye corriente) si no se aplica voltaje a la línea de dirección. Para la operación de escritura, se emplea una señal de voltaje en la línea de bits donde el alto voltaje muestra 1, y el bajo voltaje indica 0. Luego se usa una señal en la línea de dirección que permite la transferencia de la carga al capacitor.
Cuando se elige la línea de dirección para ejecutar la operación de lectura, el transistor se enciende y la carga almacenada en el condensador se suministra a una línea de bits y a un amplificador de detección.
Diferencias clave entre SRAM y DRAM
- SRAM es una memoria en chip cuyo tiempo de acceso es pequeño, mientras que DRAM es una memoria sin chip que tiene un gran tiempo de acceso. Por lo tanto, la SRAM es más rápida que la DRAM.
- La DRAM está disponible en una mayor capacidad de almacenamiento, mientras que la SRAM es de menor tamaño.
- La SRAM es cara mientras que la DRAM es barata .
- La memoria caché es una aplicación de SRAM. Por el contrario, la DRAM se utiliza en la memoria principal .
- La DRAM es altamente densa . Como contra, la SRAM es más rara .
- La construcción de SRAM es compleja debido al uso de un gran número de transistores. Por el contrario, DRAM es simple de diseñar e implementar.
- En SRAM, un solo bloque de memoria requiere seis transistores, mientras que DRAM necesita solo un transistor para un solo bloque de memoria.
- La DRAM se denomina dinámica, ya que utiliza un condensador que produce una corriente de fuga debido al dieléctrico que se usa en el interior del condensador para separar las placas conductoras; no es un aislante perfecto, por lo tanto, se requieren circuitos de actualización de energía. Por otro lado, no hay problema de fuga de carga en la SRAM.
- El consumo de energía es mayor en DRAM que en SRAM. SRAM opera según el principio de cambiar la dirección de la corriente a través de los interruptores, mientras que DRAM funciona para mantener los cargos.
Conclusión
DRAM es descendiente de SRAM. DRAM está diseñado para superar las desventajas de la SRAM; los diseñadores han reducido los elementos de memoria utilizados en un bit de memoria, lo que redujo significativamente el costo de DRAM y aumentó el área de almacenamiento. Sin embargo, la DRAM es lenta y consume más energía que la SRAM; debe actualizarse con frecuencia en unos pocos milisegundos para conservar los cargos.
