En julio pasado, Samsung e IBM anunciaron que habían desarrollado un nuevo proceso para fabricar una memoria RAM no volátil, llamada MRAM, que es hasta 100, 000 veces más rápida que la memoria flash NAND . Bueno, si se creen los informes, el gigante surcoreano dará a conocer la memoria de MRAM el próximo mes en su evento Foundry Forum.
MRAM significa RAM magnetorresistiva y se produce mediante la tecnología de par de transferencia de giro. Esto, a su vez, dará lugar a chips de memoria de baja capacidad para dispositivos móviles que actualmente utilizan flash NAND para almacenar datos.
Esta STT-MRAM consumirá mucha menos energía cuando está encendida y almacenando información. Cuando la memoria RAM no está activa, no utilizará ningún poder porque la memoria no es volátil. Por lo tanto, se espera que los fabricantes utilicen esta MRAM para aplicaciones de potencia ultra baja .
Según Samsung, el costo de producción de DRAM integrado es más barato que el de la memoria flash. A pesar del tamaño más pequeño de MRAM, su velocidad también es más rápida que las memorias flash normales. Desafortunadamente, Samsung no puede producir más de unos pocos megabytes de memoria en este momento. En el estado actual, MRAM solo es lo suficientemente bueno como para ser utilizado como memoria caché para los procesadores de aplicaciones.
El evento Foundry Forum de Samsung está programado para el 24 de mayo y es de esperar cuando obtengamos más detalles sobre la próxima MRAM de Samsung. Se ha informado que el departamento de negocios LSI de Samsung ha desarrollado un prototipo de un SoC que tiene MRAM incorporada en el interior, que probablemente también se dará a conocer en el mismo evento.
